您当前位置: 首页>新品速递

GaN快充方案|E-Mode GaN FET直驱ZVS反激电源控制芯片RM6801SN

来源:亚博体育下载地址苹果微电子 发布时间:2020-08-26 阅读次数:

    近年来,手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便,随着快充技术的迅速发展,更快速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求,而对于各大充电器厂商来说,大功率、高效率、小体积、安全稳定的高功率密度快充方案将成为这场战役中的制胜关键。在传统以及准谐振反激形式应用中,由于MOS导通时的电压较高(基本都在150V以上),特别是高压的输入条件下,会有较高的开关损耗及DI/Dt造成的EMI干扰,影响系统效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出现,很好的解决了这些痛点。为了适应快充市场发展新需求,亚博体育下载地址苹果微通过不断研究改进,成功推出了ZVS反激式架构的开关电源控制芯片RM6801X...

 

\
 

强制ZVS反激式电源控制芯片RM6801X

 

高效率、大功率

■专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗,改善EMI特性;

■支持CCM/QR混合模式;

■支持最大140KHz工作频率;

■兼顾E-Mode GaN FET及超结MOSFET(COOLMOS)驱动设计,可直接驱动E-Mode GaN功率器件,省去外置驱动器件。

 

超低待机功耗

■ 内置700V高压启动;

■ 集成X-CAP放电功能;

■ 低启动电流(2uA),低工作电流;

■ 待机功耗<65mW。

 

优异的性能

■ 内置特有抖频技术改善EMI;

■ Burst Mode去噪音;

■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿功能;

■ 集成AC输入Brown out/in功能;

■ 外置OVP保护,具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。


原理图
\

产品DEMO(
尺寸:55mm×30mm×25mm


\
能效测试

\

待机功耗

\

ZVS高低压补偿及实测波形

\

产品系列


 

型号
反馈形式
输出功率
封装
功率管
RM6801S
SSR+ZVS
100W
SSOP-10
外置MOS
RM6801SN
SSR+ZVS
100W
SSOP-10
外置GaN